半導體行業偏壓濕熱試驗箱的設計，符合實驗條件模擬了“85/85”穩態濕度壽命試驗(JESD22-A101)的失效機理，即在讓元件長時間承受電氣性stress高溫（85℃）、高濕（85%RH）環境條件，至少運行1000h，評估元件的電力和機械性性能。
相關標準：
AEC-Q101：汽車電子分立器件質量標準，適用于汽車電子元件的可靠性要求。
MIL-STD-750D：美國軍用標準，規定了軍用電子元件的可靠性試驗方法和程序。
GJB128：中國軍用標準，類似于MIL-STD-750D，適用于軍用電子元件的可靠性測試。
JESD22A-101：半導體工業協會頒布的標準，用于規范半導體器件的測試方法和程序。
技術參數：
試驗過程通電要求：
UHAST/AC無需加偏壓，HAST/H3TRB需要加偏壓，加偏壓分為持續加壓和循環加偏壓。
1、連續通電+偏壓：若發生偏置，Tj溫度大于環境溫度≈10℃并在器件散熱低于200 mW情況下使用直流偏置持續外加偏壓方式。
2、循環加偏壓：在被測器件上加直流電壓，頻率要合適，占空比要周期。若偏置配置造成Tj溫度大于環境溫度10℃、使用循環偏壓時，由于功耗加熱容易降低水分，妨礙水分有關失效機制。對對于大多數塑料封裝的微電路，用50%的占空比循環DUT偏置是最佳的?！? mm厚的封裝的循環應力周期應為≤2小時，＜2 mm厚的封裝應為≤30分鐘。推薦1小時通和1小時斷的循環偏置。
如有半導體行業偏壓濕熱試驗箱的選型疑問，可以咨詢環儀儀器相關技術人員。
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